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nor flash 文章 最新資訊

NOR FLASH火了

  • 閃存包括 NOR Flash（或非閃存）和 NAND Flash（與非閃存），其中 NAND Flash 占據閃存市場 95% 以上份額。NOR Flash（或非閃存）憑借獨特的技術特性，在工業、汽車等專業領域占據一席之地。作為非易失閃存的兩大核心技術路徑之一，NOR Flash 歷經數十年發展，在物聯網、汽車電子、AI 服務器等新興場景的驅動下，正從「小眾利基市場」邁向「高成長賽道」。而在這一浪潮中，本土 MCU 企業的布局尤為關鍵。以中微半導為代表的本土企業，正憑借 MC
  • 關鍵字： NOR Flash  

中微半導發布首款Flash芯片，進軍存儲領域

  • 1月19日，中微半導發布了一則自愿性公告，宣布即將推出其首款非易失性存儲器芯片，正式進入Flash領域。這一產品型號為CMS25Q40A，是一款容量為4M bit的低功耗SPI NOR Flash芯片。該芯片的存儲陣列被劃分為2048個可編程頁，每頁容量為256字節，單次編程操作最多可寫入256字節數據。它支持多種擦除方式，包括1KB扇區擦除、4KB扇區擦除、32KB塊擦除、64KB塊擦除及整片擦除。其核心特點包括低成本、低功耗、SPI高速讀寫以及掉電不丟失等。性能參數方面，CMS25Q40A采用1.65
  • 關鍵字： 中微半導  Flash  存儲  CMS25Q40A  

NOR Flash、MEMS與傳感器、功率器件三大領域洞察

  • 進入2026年，NOR Flash的基本面與DRAM和NAND形成顯著差異：其定價保持穩定，基本不受存儲周期性波動影響。同時，市場需求正日益轉向適用于汽車、工業及真無線耳機（TWS）等領域的更高密度SPI NOR產品。更大的固件容量、無線升級（OTA）需求以及邊緣AI的集成，共同推動了高密度NOR Flash設備的采用，尤其是從128Mb向256Mb及以上容量的升級。盡管出貨量趨于平穩，但產品密度的提升、漫長的認證周期以及向55-40納米工藝穩定遷移，將持續驅動其價值增長。得益于供需結構的穩定，NOR F
  • 關鍵字： NOR Flash  MEMS  傳感器  功率器件  

兆易創新GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash

  • 一、產品概述中國北京（2025年4月15日）—— 業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創新的壞塊管理（BBM）功能，可有效解決傳統SPI NAND Flash響應速度慢、易受壞塊干擾的行業痛點。作為一種巧妙融合了NOR Flash高速讀取優勢與NAND Flash大容量、低成本優勢的新型解決方案，GD5F1GM9系列的面世將為SPI NAND Flash帶來新的發展機遇，成為安防、工業、IoT等快
  • 關鍵字： 兆易創新  GD5F1GM9  QSPI NAND Flash  CES 2026  

1.2V I/O SPI NOR 閃存降低整體系統成本與功耗

  • 如今，邊緣人工智能、汽車、清潔能源和通信等新興市場領域，廣泛采用基于 10 納米及以下制程的系統級芯片（SoC）。先進 SoC 的工作電壓低至 1.2V 甚至更低。若要支持許多 NOR 閃存采用的 1.8V 等高電壓 I/O 結構，會增加 SoC 的芯片面積并提高成本。而具備 1.2V 輸入 / 輸出（VIO）特性的 NOR 閃存器件，既能降低成本，又能減少功耗。傳統外部閃存器件的供電電壓通常為 3.3V 或 1.8V，支持高速讀取、快速編程和快速擦除等高性能操作。若將這些器件與 1.2V SoC 搭配使
  • 關鍵字： NOR 閃存  節能  VIO  

BiCS FLASH進階時，加速存儲新進化

  • AI算力需求爆炸，海量數據頻繁調動，致使存儲行業變得愈發重要。無論是當下的生成式AI，還是即將到來的AI智能體、端側AI，高性能、高密度、高能效存儲解決方案都將作為可靠的硬件基礎，進而解決數據中心、AI訓練推理以及移動設備在數據存儲與訪問的瓶頸問題。在眾多存儲技術發展路徑中，鎧俠BiCS FLASH 3D閃存技術為行業提供了大量支持，也是高性能存儲中，不可缺少的關鍵角色。鎧俠作為閃存技術的發明者，秉承著Bit Cost Scalable Flash的理念，BiCS FLASH在2D NAND遇到容量提升瓶
  • 關鍵字： BiCS FLASH   3D閃存  鎧俠  

低開銷、高安全性的NOR閃存解決方案

  • ArmorBoot?是?Macronix 的中端安全串行 NOR 閃存，支持安全啟動以及其他安全功能，如片上認證支持（見圖1）。它可以用于為使用不內置這些功能的微控制器或微處理器的設計提供安全服務。標準形態意味著存儲芯片可以整合到現有設計中，以增強安全功能。1.Macronix的ArmorBoot提供安全啟動和認證等安全基礎功能，而高端的ArmorFlash則增加了數據加密和解密等服務。安全啟動是指啟動碼在使用系統啟動前經過驗證。通常通過使用密鑰認證代碼，確保其來源為授權來源且未被修改
  • 關鍵字： NOR  閃存  存儲芯片  

用鎧俠BiCS Flash，為AI算力創造新可能

  • AI的計算、數據傳輸與存儲已經成為當下數據中心和服務器端最為關注的問題之一。在有限的空間和成本內如何實現更高的收益，如何讓存儲方案給計算單元提供充足的數據支持，加速數據交換，節省電力和散熱成本都值得探討，其中就包括閃存技術如何扮演起關鍵角色。閃存技術最初被廣泛應用在消費級產品中，旨在縮小存儲方案占用空間、提升性能。隨著閃存技術的不斷升級，這項技術已經從成為消費級產品存儲主力，并緊接著在網絡、云計算的企業級存儲中提供高速的數據存取支持。如今數據存儲正在邁向AI時代，通過大量創新型的存儲方案創造更多可能性。例
  • 關鍵字： 鎧俠  BiCS Flash  

第二季度NAND收入環比增長22%

  • TrendForce集邦咨詢表示，第二季度NAND收入前五大供應商的總收入環比增長22%，達到146.7億美元。三星第二季度收入環比增長 23.8% 至 52 億美元，將三星的市場份額小幅提升至 32.9%。海力士第二季度收入環比增長 52.5%，達到 33.4 億美元，市場份額為 21.1%。鎧俠第二季度營收環比增長11.4%至21.4億美元，環比增長11.4%，排名第三。美光收入環比增長 3.7%，達到 21 億美元，市場份額為 13.3%。SanDisk 的收入環比增長 12.2% 至 19 億美元
  • 關鍵字： NAND  Flash  TrendForce  

內存漲價輪到NOR Flash！ 第四季全面漲勢更兇狠

  • 終端需求低迷，影響編碼型閃存（NOR Flash）價格一度積弱不振，不過近期業界驚傳，中國市場NOR Flash率先從第3季起，調漲報價5~10%，盡管市場仍處于買賣拉扯，但受到近期原材料以及封測成本雙重提高，業界預期，隨著近期市場漲價風聲蠢蠢欲動，NOR Flash價格將從第4季在各區域市場全面反映報價調漲， 單季漲幅將達雙位數百分比。相較于DRAM市場價格近來明顯走揚，不僅DDR4身價暴漲，需求正逐漸萎縮的DDR3現貨價格也止跌反彈，相較于6月底的行情，近2個月來現貨價格已上漲約3成多，反映業界在擔憂
  • 關鍵字： 內存  NOR Flash  

「STM32 Flash 操作全解析」擦除、寫入、讀取一網打盡！附完整源碼

  • 在嵌入式開發中，MCU 內部的 Flash 常用于存儲配置信息、日志數據或用于 OTA 升級。STM32F4 系列 MCU 提供了對 Flash 的靈活操作能力，包括按扇區擦除、字節或半字寫入等。本文將圍繞一段實際使用的 Flash 操作代碼進行講解，主要涉及 Flash 的擦除、寫入與讀取功能。一、Flash 結構及操作基本原理STM32F4 MCU 的 Flash 存儲器按照扇區（Sector）劃分，每個扇區大小不一，例如在 STM32F407 中，前四個扇區大小為 16KB，第五個為 64KB，之后
  • 關鍵字： STM32  Flash  

NAND Flash合約價 Q3看漲10%

  • 根據TrendForce預估，第三季NAND Flash價格走勢，預估平均合約價將季增5%至10%，但eMMC、UFS產品，因智慧手機下半年展望不明，漲幅較低。client SSD市場因OEM/ODM上半年去化庫存情況優于預期，增強第三季回補動能。 而Windows 10停止支持、新一代CPU推出引發換機潮，以及DeepSeek一體機熱潮，皆帶動client SSD需求。此外，部分原廠積極推動大容量QLC產品，帶動出貨規模。 綜合以上因素，預估第三季client SSD將季增3%至8%。隨NVIDIA B
  • 關鍵字： NAND Flash  

如何讓QLC技術成為主流？

  • 縱觀整個電子行業，往更高密度的集成電路發展無疑是主流趨勢。相對于邏輯電路追求晶體管密度提升，類似于FLASH NAND這樣的非易失性存儲還需要考慮到電子的穩定保存，單純的提升制造工藝并不能很好的解決所有存儲問題，在穩定保存的前提下追求更高的存儲密度才能確保新技術、新產品可持續發展，存儲單元向上要空間成為順理成章的事情，因此在SLC（Single-Level Cell）之后才有MLC（Multi-Level Cell），TLC（Triple-Level Cell），以及日漸成為主流的QLC（Quad-Lev
  • 關鍵字： AI推理  QLC  NAND Flash  

兆易創新推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash， 突破性讀取速度，助力應用快速啟動

  • 近日，兆易創新宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創新的壞塊管理（BBM）功能，可有效解決傳統SPI NAND Flash響應速度慢、易受壞塊干擾的行業痛點。作為一種巧妙融合了NOR Flash高速讀取優勢與NAND Flash大容量、低成本優勢的新型解決方案，GD5F1GM9系列的面世將為SPI NAND Flash帶來新的發展機遇，成為安防、工業、IoT等快速啟動應用場景的理想之選。GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash采用24n
  • 關鍵字： 兆易創新  Flash  NAND  

AI推理應用爆發推升QLC NAND Flash市場需求

  • AI推論快速成長，QLC NAND Flash成為企業級儲存解決方案的新寵。 相較于傳統的TLC NAND，QLC具備更高存儲密度與更低成本，適合以讀取為主的AI推論工作負載。 法人分析，臺廠如群聯、威剛、宇瞻等存儲器模組廠，有望從中受惠。根據調研機構預測，2025年QLC NAND產能將達250.48億Gb，占NAND總產能的22.2%，滲透率逐步提升。AI推論服務器主要負責分析以及處理大量數據，而這類應用訪問模式以讀取為主，寫入頻率相對較低，正好契合QLC SSD的特性。QLC NAND有更高存儲密度
  • 關鍵字： AI推理  QLC  NAND Flash  
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nor flash介紹

NOR Flash存儲器 　　NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發出NOR flash技術,徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發表了NAND flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細 ]

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